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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs



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Éditeur :

Springer


Collection :

Computational Microelectronics

Paru le : 2011-01-06



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Description
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Pages
252 pages
Collection
Computational Microelectronics
Parution
2011-01-06
Marque
Springer
EAN papier
9783709103814
EAN EPUB
9783709103821
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
2
Nombre pages imprimables
25
Taille du fichier
2836 Ko
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Prix
148,39 €

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