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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Der inverse Thyristor

de

Éditeur :

Springer Vieweg


Paru le : 2026-01-13



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Description

Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.
Pages
212 pages
Collection
n.c
Parution
2026-01-13
Marque
Springer Vieweg
EAN papier
9783658501501
EAN PDF
9783658501518
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
2
Nombre pages imprimables
21
Taille du fichier
17940 Ko
Ce livre est accessible aux handicaps Voir les informations sur l'accessibilité
Prix
66,05 €
EAN EPUB
9783658501518
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
2
Nombre pages imprimables
21
Taille du fichier
43233 Ko
Ce livre est accessible aux handicaps Voir les informations sur l'accessibilité
Prix
66,05 €

Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke

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